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簡(jiǎn)要描述:該變溫電阻設(shè)備有以下特點(diǎn):$r$n1、變溫范圍廣,-196到高溫全覆蓋,且變溫過(guò)程中升降溫速率可控;$r$n2、測(cè)試精度高范圍廣,電阻測(cè)量范圍0.01uΩ到1200MΩ,廣泛應(yīng)用于各種金屬半導(dǎo)體材料,和相變材料研究;$r$n3、測(cè)試數(shù)據(jù)量大且完整,變溫過(guò)程中持續(xù)采集,電阻率數(shù)據(jù)每秒采集兩次。$r$n4、設(shè)備體積小,操作簡(jiǎn)單,維護(hù)方便。$r$n5、測(cè)量結(jié)果穩(wěn)定,數(shù)據(jù)平滑,重復(fù)性高。
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變溫腔采用加熱棒加熱,和通入液氮制冷的方式降溫。通過(guò)控制加熱棒電壓和液氮泵的轉(zhuǎn)速,可以控制變溫腔內(nèi)樣品臺(tái)升降溫的速率。
本設(shè)備對(duì)變溫過(guò)程中的樣品進(jìn)行電阻率的聯(lián)系采集,從而繪制處樣品在變溫過(guò)程中的電阻率聯(lián)系變化曲線。
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
測(cè)試參數(shù) | ||
1 | 測(cè)試物理量 | 變溫過(guò)程中電阻率連續(xù)采集 |
2 | 樣品要求 | L≥10mm;W≥3mm;T≥50nm (適用與塊狀、片狀和帶基底的薄膜樣品) |
3 | 電阻率測(cè)試誤差 | ≤10% |
4 | 重復(fù)測(cè)試誤差 | ≤3% |
5 | 電阻測(cè)量范圍 | Ω--Ω |
控溫參數(shù) | ||
6 | 溫度范圍 | 80K-800K |
7 | 溫度顯示精度 | 0.1℃ |
8 | 控溫精度 | 0.5℃ |
9 | 加熱方式 | 加熱棒加熱 |
10 | 制冷方式 | 液氮制冷 |
11 | 升溫速率 | (1-30)K/min程序控制 |
12 | 降溫速率 | (1-20)K/min程序控制 |
13 | 最大加熱功率 | 100W |
整機(jī)參數(shù) | ||
14 | 采集控制箱尺寸 | 366mm(W)*360mm(D)*160mm(H) |
15 | 測(cè)試裝置尺寸 | 140m*120mm*180mm |
16 | 額定電壓 | 220V/50HZ |
17 | 整機(jī)功率 | 250w |
其它參數(shù) | ||
18 | 外殼冷卻方式 | 自然冷卻或風(fēng)冷 |
19 | 外殼最高溫度 | 40℃ |
20 | 測(cè)試氣氛 | 真空 |
21 | 真空度 | ≤1Pa |
22 | 真空容積 | 2L |
表 1-1 RMS-600技術(shù)參數(shù)
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